IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD50N06S4L08ATMA2 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.32 |
10+ | $1.182 |
100+ | $0.9218 |
500+ | $0.7615 |
1000+ | $0.6012 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-11 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 71W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4780 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD50 |
IPD50N06S4L08ATMA2 Einzelheiten PDF [English] | IPD50N06S4L08ATMA2 PDF - EN.pdf |
INFINEON TO252
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
MOSFET N-CHANNEL_100+
IPD50N06S4L-08 INFINEO
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPD50N06S4L08ATMA2Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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